| Рубрикатор |  |
 |
| Все новости |  |
Новости компаний | |
|
На Ангстреме будет внедрена новая технология производства транзисторов на основе карбида кремния
| 30 октября 2018 |
«Ангстрем» заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC)/ Соглашение предусматривает постановку на АО «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии, использование которой позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.
Транзисторы на основе карбида кремния, традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным.В церемонии подписания соглашения о стратегическом партнерстве, приняли участие первый заместитель генерального директора АО «Ангстрем» Николай Плис, президент компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» (JAPAN SEMICONDUCTOR ENGINEERING & CONSULTING) Хошино Масахиро (Hoshino Masahiro) и генеральный директор компании «Тайжоу бийонд технолоджи» (TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY) Чжань Лэниан (Zhang Lenian).
Техпроцесс разработан специалистами японской компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» (JAPAN SEMICONDUCTOR ENGINEERING & CONSULTING). Третья сторона соглашения, китайская компания «Тайжоу бийонд технолоджи» (TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY), берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении 5 лет, а затем может быть продлено.
Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для АО «Ангстрем» и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC.
«Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2000 наименований.
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Адрес: 105082, Россия, г. Москва, 2-й Ирининский пер, д. 3
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.