• Новости
• Блоги
• Аналитика
• Новости компаний
• В СНГ и в мире
• Анонсы

HP создала новую технологию памяти, описанную 37 лет назад

В исследовательских лабораториях Hewlett-Packard создан новый элемент электронных схем, который прежде существовал лишь в теории. Разработчикам удалось создать «мемристор» (от англ memory - память и resistor - резистор).

Мемристоры позволят создавать чипы памяти будущего, которые способны сохранять данные без электричества на протяжении длительного периода времени, что позволит избежать долгого процесса загрузки компьютеров, повысить их производительность, а также многократно снизить энергопотребление электронной техники.

Само понятие «мемристор» было впервые введено в обиход в 1971 году профессором калифорнийского университета Леоном Чуа, тогда же были описаны основные свойства и показатели этого устройства. Однако на то, чтобы реализовать эту идею на практике, потребовалось 37 лет.

В HP говорят, что их новинка пришлась особенно ко времени, так как многие мировые производители сейчас заняты разработкой новых типов электронной памяти и энергосберегающих технологий. «В зависимости от особенностей реализации технология мемристоров может найти применение как в цифровых устройствах, например, в фотоаппаратах или плеерах, так и в производительных компьютерных и серверных системах», - говорят в HP.

На сегодня в большинстве случаев в цифровых системах применяются разновидности флеш-памяти, но по прогнозам специалистов, после 2016-2017 года она постепенно отойдет в историю, так как не обладает большим запасом емкости и производительностью. А вот у технологии мемристоров, как и у ряда других разработок, связанных, в частности, с магнитным сопротивлением, такой запас имеется.

«Можно предположить, что мемристоры после их промышленного изготовления могут эффективно сочетаться и с другими схемами и технологиями хранения данных в компактной и энергоэффективной форме, - говорит руководитель исследовательских проектов HP Стенли Уильямс. - Флеш-чипы в большинстве случаев начинают терять данные после года хранения без доступа к электрическому току, мемристоры, напротив, способны без проблем хранить данные значительно дольше, сохраняя информацию о том, когда в последний раз через них прошел электрический заряд».

В лаборатории HP в Пало-Альто (штат Калифорния, США) исследователи построили рабочий прототип мемристора, поместив микроскопические пленки диоксида титана между двумя электродами и пропустили через них электрический ток. «Мемристоры способны запоминать свое состояние в момент прохождения заряда при помощи изменения своей атомной структуры. Фактически заряд мемристора может соответствовать заряду пропущенного тока. В этом заключается принципиальное отличие этих устройств от всех других», - пояснил Уильямс.

Сам разработчик технологии мемристоров Леон Чуа отметил, что он счастлив, что его концепция была реализована на практике. В начале 70-х годов он попытался реализовать мемристор при помощи расчетов, в результате которых был сделан вывод о необходимости наличия еще одного особого элемента, дополняющего классическую схему - конденсатор, резистор и индуктор. Этот элемент был должен обладать памятью. Чуть позже он реализовал эту систему при помощи батареек, но 35 лет назад технологии не позволяли оперировать наночастицами, а потому его мемристор получился довольно громоздким и непрактичным.

В HP не исключают возможности совмещения их разработки с новинками других производителей, например, Nymonix (совместное предприятие Intel и STMicroelectronics), которая создает память PRAM (Phase-change Random Access Memory). Эта разработка обладает расширенным ресурсом, позволяющим гарантировать более 100 миллионов циклов записи, однако память будет энергонезависимой и расчетное время продолжительности хранения данных превысит 10 лет.

Источник: CyberSecurity

Оставить свой комментарий:

Комментарии по материалу