Идет тестирование российского фоторезиста для 90 нм производства

В техпроцессах Микрона используется 43 сверхчистых химических материала и 39 специальных электронных газов и смесей, ведется активная работа по замене всех компонентов отечественными аналогами в целях обеспечения технологического суверенитета.

«Выпуск отечественных материалов для микроэлектроники открывает путь к прекращению монополии иностранных игроков. Работы по импортозамещению важно вести в кооперации с научными учреждениями – тогда исследования сразу переходят в производство, - отметила Гульнара Хасьянова, генеральный директор АО «Микрон». – Отечественный фоторезист для 90 нм - это важная веха в импортозамещении материалов и развитии производства микроэлектроники».

Фоторезист – светочувствительный полимерный материал для фотолитографии, который используется в ключевом процессе изготовления интегральных микросхем с целью получить на поверхности обрабатываемого материала «окна» для доступа травящих веществ. Строгое соответствие материала необходимым техническим требованиям и стандартам микроэлектронного производства обеспечивает точное формирование элементов на пластине.

Отечественная электронная компонентная база - основа технологической независимости и безопасности страны, так как микроэлектроника - это одна из критических и сквозных технологий. Развитие устройств и систем на основе отечественной ЭКБ является одним из ключевых направлений стратегии развития радиоэлектронной промышленности. Согласно Концепции технологического развития, Россия должна создать собственную базу критических и сквозных технологий и доля отечественных чипов, высокоточных станков, продукции робототехники, фармацевтики и медицинского оборудования, телекоммуникационной техники, программного обеспечения и авиакосмической техники в общем объеме потребления должна составить не менее 75% в 2030 году. 

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!