Рубрикатор |
Все новости | Новости компаний |
МОП-транзисторы снижают тепловыделение
03 февраля 2017 |
Новые МОП- транзисторы производства Toshiba Electronics Europe, имеющие каналы n-типа для переключателей нагрузки в мобильных устройствах с низким сопротивлением в открытом состоянии, отличаются тепловыделением, сниженным на 40% по сравнению с существующими изделиями.
Компания Toshiba Electronics Europe представляет два новых МОП-транзистора с каналом n-типа для переключателей нагрузки в мобильных устройствах с ведущим в классе низким сопротивлением в открытом состоянии. Транзисторы SSM6K513NU и SSM6K514NU позволяют создавать высокоэффективные системы с низким энергопотреблением и отлично подходят для применения в самых современных портативных устройствах с автономным питанием.
Применение технологического процесса формирования канавки серии U-MOS IX-H обеспечивает низкое сопротивление МОП-транзисторов в открытом состоянии. Номинальные значения RDS(ON) составляют 6,5 мОм для SSM6K513NU на напряжение 30 В и 8,9 мОм для SSM6K514NU на напряжение 40 В. Это позволяет снизить в новых устройствах тепловыделение, связанное с потерями при включении, примерно на 40 % по сравнению с существующими изделиями Toshiba, такими как SSM6K504NU.
Транзисторы SSM6K513NU и SSM6K514NU предназначены для применения в устройствах переключения электропитания мощностью более 10 Вт, включая малогабаритные мобильные устройства, соответствующие требованиям стандартов USB Type-C и USB Power Delivery (PD). Оба МОП--транзистора выпускаются в компактных корпусах SOT-1220.
Читайте также:
Продажи жестких дисков катастрофически обвалились по всему миру
Логистический центр Почты России во Внуково выведен на полную мощность
Sharp купила компьютерный бизнес Toshiba
Toshiba представила массовую серию SSD-дисков с интерфейсом NVMe
Toshiba Memory Europe представляет UFS-устройства на основе 64‑слойной 3D флеш-памяти
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.