| Рубрикатор |  |
 |
| Все новости |  |
Новинки | |
|
NXP Semiconductors представила первое из серии дискретных кремниевых решений
| 12 ноября 2007 |
Высокочастотный NPN-транзистор BFU725F – прекрасное решение для разнообразных радиочастотных приложений. Его отличительные особенности - высокая частота переключения, высокий коэффициент усиления и очень низкий уровень шума, который позволяет повысить качество приема чувствительных радиочастотных приемников, которые используются в GPS-навигаторах, DECT-телефонах, спутниковых радиосистемах, WLAN-/CDMA-устройствах, тогда как высокая граничная частота отвечает потребностям приложений, работающих в диапазоне от 10 ГГц до 30 ГГц.
При разработке транзистора BFU725F учитывались не только высокие требования к производительности, предъявляемые современными электронными устройствами, но и необходимость снижения производственных расходов, поэтому использовался проверенный технологический процесс – SiGeC (кремний-германий-углерод), применяемый при выпуске дискретных компонентов, а также при производстве монолитных микросхем и широкополосных транзисторов.«Мы выбрали технологию SiGeC BiCMOS от NXP, так как она обеспечивает высокие значения коэффициента усиления, отличный динамический диапазон и экономичность, свойственную дискретным кремниевым компонентам, – сказал Брюс БРУЧАН (Bruce Bruchan), директор по проектированию спутниковой продукции CalAmp. – Продолжая разработку продукции на базе технологического процесса SiGeC BiCMOS, NXP демонстрирует стремление выполнять взятые на себя обязательства перед заказчиками и постоянно предлагает инновационные решения в ответ на растущие потребности быстро развивающихся рынков высокочастотных и беспроводных компонентов».
Среди других решений, представленных на рынке сегодня, - высокоинтегрированная ИС TFF1004HN для малошумящих блоков в спутниковых системах и высокочастотный транзистор BFU725F. NXP разрабатывает еще несколько широкополосных кремниевых транзисторов и монолитных СВЧ интегральных схем (MMIC), выпуск которых намечен на конец 2007 года – начало 2008 года.
«QUBiC4X был спроектирован в соответствии с потребностями реальных высокочастотных приложений и демонстрирует уникальное сочетание высокого коэффициента усиления по мощности с отличным динамическим диапазоном, – рассказывает профессор Барт СМОЛДЕРС (Bart Smolders), менеджер по инновациям NXP Semiconductors. – Основная идея заключалась в разработке технологического процесса на основе кремния, обеспечивающего уровни производительности, доступные в производственных процессах на базе арсенида галлия (GaAs) – и получить экономичное интегрированное высокочастотное решение».
Транзистор BFU725F отвечает требованиям директивы RoHS, он обладает сверхнизким уровнем шумов (0,43 дБ при 1,8 ГГц/0,7 дБ при 5,8 ГГц) и высоким уровнем максимального стабильного усиления (27 дБ при 1,8 ГГц/10 дБ при 18 ГГц). В число уникальных характеристик транзистора входят высокая частота переключения fT = 70 ГГц и пластиковый корпус SOT343F для поверхностного монтажа.
Источник: NXP
Адрес: 105082, Россия, г. Москва, 2-й Ирининский пер, д. 3
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.