Rambler's Top100
Все новости Новости компаний

Закон Мура будет актуален после 2025 года благодаря разработкам Intel

15 декабря 2021

Intel представила ключевые достижения в области корпусирования, физики транзисторов и квантовой физики, которые станут основой развития вычислительных технологий на ближайшее десятилетие. Компания планирует более чем в 10 раз повысить плотность межсоединений при корпусировании с применением гибридной связки.

В рамках конференции IEEE Internationa l Electron Devices Meeting (IEDM) 2021 Intel поделилась планами более чем в 10 раз повысить плотность межсоединений при корпусировании с применением гибридной связки, на 30-50% уменьшить площадь логических схем, значительно усовершенствовать новые технологии питания и памяти, а также представить новые идеи в области физики, которые могут полностью изменить вычислительные технологии. 

«Intel на регулярной основе ведет исследования и разработку инноваций, необходимых для соблюдения закона Мура. Наше подразделение Components Research Group на IEDM 2021 представило ключевые достижения в области передовых технологий производства и корпусирования, чтобы удовлетворить растущий спрос на производительные вычисления. Это результат неустанной работы наших ученых и инженеров», – сказал Роберт Чау (Robert Chau), старший научный сотрудник Intel и генеральный менеджер подразделения Components Research Group.

Почему это важно: Закон Мура отражает динамику развития вычислительных инноваций каждого технологического поколения – от мейнфреймов до смартфонов. Эта эволюция продолжается и сегодня, в эпоху вычислений с использованием больших объемов данных и искусственного интеллекта. 

Новые исследования являются основой для поддержания закона Мура. Подразделение Intel Components Research Group занимается разработкой решений в трех ключевых областях: фундаментальные технологии масштабирования для увеличения плотности размещения транзисторов; новые возможности кремниевых полупроводников для увеличения мощности и объема памяти; а также изучение новых физических концепций для совершенствования вычислительных процессов. Многие инновационные разработки, которые позволили преодолеть барьеры закона Мура и используются в современных продуктах, были созданы благодаря исследовательской деятельности группы Component Research – в том числе, технология напряженного кремния (Strained Silicon), транзисторы с диэлектриком затвора высокой диэлектрической проницаемости (Hi-K Metal Gates), транзисторы FinFET, RibbonFET, а также инновации в области корпусирования, такие как EMIB и Foveros Direct. 

Достижения, продемонстрированные Intel на IEDM 2021, свидетельствуют о том, что компания находится на пути к реализации закона Мура и его преимуществ и после 2025 года в трех ключевых областях.

Корпорация Intel осуществляет важные исследования в области фундаментальных технологий масштабирования для увеличения количества транзисторов в будущих продуктах:
  • Специалисты Intel предложили решения для проблем конструирования, технологии производства и сборки гибридного соединения чипсетов, которые позволят повысить плотность размещения межсоединений при корпусировании более чем в 10 раз. На июльском мероприятии Inte l Accelerated компания объявила о планах внедрения технологии Foveros Direct, позволяющей добиться зазора между контактами шириной менее 10 микрон, что обеспечивает увеличение плотности межсоединений при трехмерной компоновке. Intel также выступает за создание новых отраслевых стандартов и методик тестирования в области современных методов компоновки для создания экосистемы чиплетов с гибридным монтажом.
  • Не останавливаясь на своей технологии RibbonFET с окружающим (Gate-All-Around, GAA) затвором, Intel разрабатывает новое решение для эпохи после транзисторов FinFET с применением вертикального монтажа нескольких КМОП-транзисторов, которое позволит улучшит масштабирование логики от 30% до 50% и обеспечит непрерывное действие закона Мура за счет размещения большего числа транзисторов на квадратный миллиметр.
  • Intel также подготавливает предпосылки для развития закона Мура в эпоху измерений в ангстремах благодаря исследованиям в области новейших материалов толщиной в несколько атомов. Эти материалы могут быть использованы для изготовления транзисторов, которые смогут преодолеть ограничения традиционных кремниевых полупроводников, и размещать миллионы дополнительных транзисторов на единицу площади в мощных вычислительных системах следующего десятилетия.
Intel воплощает новые возможности в полупроводниках:
  • Более эффективные технологии питания и памяти благодаря первой в мире интеграции элементов силовой коммутации на базе нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов с кремниевыми КМОП-транзисторами на 300-миллиметровой пластине. Это позволяет обеспечить питание схем процессора с малыми потерями и высокой скоростью коммутации при одновременном уменьшении количества компонентов на системной плате и занимаемого пространства.
  • Другим достижением Intel являются ячейки встраиваемой памяти DRAM с низкими задержками чтения/записи на основе ферроэлектрических материалов. Эта лидирующая в отрасли технология претендует на применение в следующих поколениях DRAM и обеспечит растущие потребности в памяти все более сложных вычислительных приложений, от игр до ИИ.
Intel разрабатывает решения для высокопроизводительных квантовых вычислений на основе кремниевых транзисторов, а также совершенно новые коммутационные устройства для масштабных энергетически эффективных вычислений, работающие при комнатной температуре. 

В будущем, благодаря использованию совершенно новых физических принципов, эти разработки могут заменить классические полевые (MOSFET) транзисторы:
  • На IEDM 2021 представители Intel продемонстрировали первую в мире экспериментальную реализацию магнитоэлектрического спин-орбитального (magnetoelectric spin-orbit, MESO) логического устройства, функционирующую при комнатной температуре. Это подтвердило потенциальную пригодность технологии для производства транзисторов нового типа на базе переключаемых магнитов нанометрового масштаба.
  • Intel и IMEC добились прогресса в области изучения материалов для спиновой электроники (спинтроники), что приближает исследования по интеграции элементов к созданию полнофункционального спин-приводного устройства.
  • Intel также продемонстрировала полный технологический процесс производства кубитов на 300-миллиметровой пластине для осуществления масштабируемых квантовых вычислений. Новая производственная технология, совместимая с существующими линиями по выпуску КМОП-продукции, определяет дальнейшие этапы будущих исследований.
Подразделение Components Research – это исследовательская группа в составе подразделения Intel Technology Development. Она отвечает за разработку принципиально новых технологий производства и корпусирования, которые поддерживают закон Мура и позволяют создавать новые продукты Intel. Группа поддерживает полный цикл перспективных исследований и разработок Intel в тесном контакте с другими подразделениями компании для планирования будущих потребностей, и в рамках сотрудничества с внешними структурами – от государственных исследовательских лабораторий США и промышленных консорциумов до научных коллективов при университетах и предприятий-поставщиков.

Источник: INTEL

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.

Продолжение использования сайта пользователем интерпретируется как согласие на обработку фрагментов персональных данных (таких, как cookies) для целей корректной работы сайта.

Согласен