Рубрикатор |
Все новости | Новости компаний |
В АО «НИИЭТ» создают транзисторы для сетей 5G
20 марта 2020 |
Инженеры Научно-исследова- тельского института электронной техники смогли создать транзисторы на основе нитрида галлия, материала будущего электронной промышленности. Транзисторы обладают улучшенными СВЧ-характеристиками для создания систем связи пятого поколения – сетей 5G.
Объемы данных, передаваемые современными пользователями мобильных устройств, постоянно растут с переходом от одного поколения к другому. При переходе на новые стандарты связи и мобильного интернета увеличиваются требования не только к персональным гаджетам, но и к базовым станциям. Ведущие мировые инженеры-разработчики стремятся создавать универсальные и эффективные компоненты, в том числе сердце приемо-передающих модулей базовых станций – мощные СВЧ-транзисторы.
Продвинуться в данном направлении удалось специалистам Воронежского Научно-исследовательского института электронной техники. Мощные СВЧ-транзисторы, разработаны на многообещающем перспективном материале – полупроводниковом нитриде галлия. За семь лет работы, как с отечественными, так и зарубежными технологическими центрами, разработчики АО НИИЭТ» добились создания высокоэффективных транзисторных структур и изготовили на их основе серию сверхвысокочастотных транзисторов для нижнего диапазона частот 4 – 5 ГГц сетей 5G.
Мировой опыт по созданию компонентов микроэлектроники на основе гетероструктур нитрида галлия с высокой подвижностью электронов показал преимущества этого материала, который может заменить, и уже активно заменяет обычный кремний и арсенид галлия благодаря более высоким значениям удельной выходной мощности на высоких рабочих частотах. До сих пор массовому применению данного материала препятствовала его высокая стоимость и несовершенство.
Теперь инженеры и технологи смогли повысить качество гетероструктур нитрида галлия почти до бездефектного уровня и создать на его основе устройства, работающие до десяти гигагерц и выше с максимальной выходной мощность в сотни ватт для оптимального применения в сетях 5G.
Кроме применения нового материала специалисты предприятия разработали дискретные транзисторы на десятки и сотни ватт с цепями предсогласования, а также усилители мощности, выполненные по гибридной технологии с габаритными размерами, сравнимыми с обычной USB-флешкой. Достигнутые результаты, а также продолжающиеся работы по расширению номенклатуры изделий и созданию силовых приборов на нитриде галлия для комплектования источников питания с повышенным КПД и меньшими габаритными размерами планируется активно внедрять при построении аппаратуры, обеспечивающей высокоэффективное функционирование сетей 5G.
Читайте также:
На ВЭФ представлен нацпроект «Экономика данных»
Ключевые задачи Минцифры Казахстана обсудили на заседании Общественного совета
Сингапур готовится к отключению связи 3G
В Узбекистане развернут первую в Центральной Азии сеть 5G Standalone
Тестирование 100 российских базовых станций начнется летом 2024 года
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.