Rambler's Top100
Реклама
 
Все новости Новости компаний

В АО «НИИЭТ» создают транзисторы для сетей 5G

20 марта 2020

Инженеры Научно-исследова- тельского  института  электронной  техники смогли создать транзисторы на основе нитрида галлия, материала будущего электронной промышленности. Транзисторы обладают улучшенными СВЧ-характеристиками для создания систем связи пятого поколения – сетей 5G.

Объемы данных, передаваемые современными пользователями мобильных устройств, постоянно растут с переходом от одного поколения к другому. При переходе на новые стандарты связи и мобильного интернета увеличиваются требования не только к персональным гаджетам, но и к базовым станциям. Ведущие мировые инженеры-разработчики стремятся создавать универсальные и эффективные компоненты, в том числе сердце приемо-передающих модулей базовых станций – мощные СВЧ-транзисторы.

Продвинуться в данном направлении удалось специалистам Воронежского Научно-исследовательского института электронной техники. Мощные СВЧ-транзисторы, разработаны на многообещающем перспективном материале – полупроводниковом нитриде галлия. За семь лет работы, как с  отечественными, так и зарубежными технологическими центрами, разработчики АО НИИЭТ» добились создания высокоэффективных транзисторных структур и изготовили на их основе серию сверхвысокочастотных транзисторов для нижнего диапазона частот 4 – 5 ГГц сетей 5G.

Мировой опыт по созданию компонентов микроэлектроники на основе гетероструктур нитрида галлия с высокой подвижностью электронов показал преимущества этого материала, который может заменить, и уже активно заменяет обычный кремний и арсенид галлия благодаря более высоким значениям удельной выходной мощности на высоких рабочих частотах. До сих пор массовому применению данного материала препятствовала его высокая стоимость и несовершенство.

Теперь инженеры и технологи смогли повысить качество гетероструктур нитрида галлия почти до бездефектного уровня и создать на его основе устройства, работающие до десяти гигагерц и выше с максимальной выходной мощность в сотни ватт для оптимального применения в сетях 5G.

Кроме применения нового материала специалисты предприятия разработали дискретные транзисторы на десятки и сотни ватт с цепями предсогласования, а также усилители мощности, выполненные по гибридной технологии с габаритными размерами, сравнимыми с обычной USB-флешкой. Достигнутые результаты, а также продолжающиеся работы по расширению номенклатуры изделий и созданию силовых приборов на нитриде галлия для комплектования источников питания с повышенным КПД и меньшими габаритными размерами планируется активно внедрять при построении аппаратуры, обеспечивающей высокоэффективное функционирование сетей 5G.

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.

Продолжение использования сайта пользователем интерпретируется как согласие на обработку фрагментов персональных данных (таких, как cookies) для целей корректной работы сайта.

Согласен