Rambler's Top100
Все новости Новости отрасли

В России займутся передовой микроэлектроникой

10 июля 2014

В Томске создается производство элементной базы на основе GaAs-технологии. Предприятие планируется создать в ОЭЗ «Томск» на базе компании «Субмикронные технологии» — ведущей разработку элементной базы СВЧ–диапазона на основе арсенид-галлиевой (GaAs) технологии для систем телекоммуникаций и радиолокации.

«Россия существенно отстает от мирового сообщества по развитию кремниевой и арсенидгаллиевой микроэлектроники, поэтому речь идет не сколько об инновациях, сколько о догоняющей модернизации, — говорит директор ООО «Субмикронные технологии» Валерий Кагадей. — Наши микросхемы уникальны для России, а технологические особенности их изготовления могут сделать нашу продукцию конкурентоспособной и на мировом рынке».

В компании «Субмикронные технологии» разрабатывают новые продукты и технологии производства монолитных схем на арсениде и нитриде галлия. По сравнению с кремниевыми микросхемами, арсенид-галлиевые обладают рядом преимуществ. Высокая подвижность носителей заряда позволяет GaAs приборам работать на частотах до 300 ГГц и выше, иметь лучшую динамику, меньший шум. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые ИС, поэтому могут использоваться в условиях космоса, обеспечивая высокоскоростную передачу данных и телевещание. Транзисторы на основе нитрида галлия по своим частотным свойствам похожи на арсенидгаллиевые, но сохраняют работоспособность при более высоких температурах и напряжениях, поэтому этот материал крайне привлекателен для создания мощных и сверхмощных СВЧ усилителей.

«Наша цель — создание высокоэффективного производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе арсенида и нитрида галлия, оборудованного по самым высоким мировым стандартам и способного удовлетворить растущий спрос отечественных изготовителей электронной техники СВЧ», — подчеркивает Валерий Кагадей.
По его словам, после завершения основных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ на базе ООО «Субмикронные технологии» будет создано предприятие, учредителями которого выступят ЗАО «НПФ «Микран» и ОАО «Концерн радиостроения «Вега». Материнские компании обеспечат и гарантированное потребление части продукции, что наряду с быстрой доставкой и низкими транспортными расходами является конкурентным преимуществом проекта. Концерн радиостроения «Вега» сейчас ведет проектирование лабораторно-производственного корпуса на территории Южной площадки ОЭЗ «Томск». Планируется, что численность работников на производстве после завершения проекта составит более сотни человек.

«Основными потребителями станут учредители нового предприятия — НПФ «Микран» и концерн «Вега», — подтверждает Валерий Кагадей. — Микросхемы будут интегрироваться в модули, изготовленные на «Микране», а затем в конечную продукцию средств связи и передачи данных, а также в контрольно-измерительную аппаратуру СВЧ. Мы планируем, что будет спрос и со стороны других российских предприятий радиоэлектронной промышленности».

ООО «Субмикронные технологии» — дочернее предприятие НПФ «Микран», с 17 сентября 2007 года является резидентом ОЭЗ «Томск». Основная деятельность предприятия связана с разработкой и внедрением на рынок широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем для создания современных радиолокационных, телекоммуникационных и информационных систем. 
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.

Продолжение использования сайта пользователем интерпретируется как согласие на обработку фрагментов персональных данных (таких, как cookies) для целей корректной работы сайта.

Согласен